混合键合技术直接连接DRAM芯片间的混合键合凉K海铜线，

若未来HBM5E阶段I/O进一步翻倍至4096个，力士

散热问题也有了更简单的急刹替代方案。即使到HBM5也可能暂不采用。用不也悬当前HBM4的混合键合凉K海I/O数量已翻倍至2048个。

而HBM3E标准厚度为720微米，力士短期内混合键合不会大规模部署，急刹然而，用不也悬JEDEC正在讨论将HBM5的混合键合凉K海厚度标准从当前的775微米放宽至最高约1000微米。届时必须采用混合键合以实现更高密度连接。力士这进一步延缓了混合键合的急刹规模化部署。以实现下一代高带宽存储器方面正面临日益严峻的用不也悬挑战。将电绝缘、混合键合凉K海两家公司计划从HBM5开始应用各自方案。力士HBM4已放宽至775微米。急刹无需使用凸点，

SK海力士则推出iHBM技术，即使到HBM4E阶段，

混合键合技术在下一代HBM上的全面应用可能比预期进一步延迟。

目前客户和内存制造商并未积极讨论16层HBM的问题。12层产品仍极有可能被用作主流产品。据报道，不过混合键合的研发并未停滞。厚度标准松动后，在封装内部加入独立热柱，可从堆叠内部带走热量。

7月6日消息，导热硅冷却元件嵌入D2D PHY层，行业分析师指出，现有TC热压合工艺将因凸点横向扩散而难以支撑，但中长期当I/O密度再次爆炸时仍是发展方向。混合键合的无凸点减薄优势不再紧迫。两家公司正重新评估采用混合键合的时机，

业内判断，

16层以上高堆叠产品的需求并不紧迫，称可较现有产品降低超过30%热阻。有助于减小HBM厚度并改善散热。三星电子与SK海力士在引入混合键合技术，三星开发了HPB热通道模块， 顶: 6踩: 8