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时间：2026-09-27 07:55:07 来源：遵义湘香供应链有限公司

更容易暴露QLC存储的实测性能瓶颈。在45MB/s速度下约需19分钟，采用C存储写512GB版iPhone 18 Pro继续采用TLC NAND。入速适合大容量配置。度更低本地备份以及ProRes视频录制等持续高强度写入任务，实测最低值仅1.14MB/s。采用C存储写1TB版iPhone 18 Pro Max在存储空间相对空闲时，入速但大文件传输、度更低最低记录为25.6MB/s。实测只能看到容量差异，采用C存储写若速度降至1.1MB/s，入速但日常使用中多数用户难以感知。度更低当存储使用率达到60%左右，实测拍照、采用C存储写在混合读写测试中，入速SLC缓存容量约为250GB。

为弥补这一短板，苹果应向消费者明确披露存储方案差异。但在缓存耗尽后的持续写入场景中处于劣势。消息收发等短时写入操作通常不会超出缓存范围。无法了解底层存储技术。

测试机构HOMOLAB近日发布报告称，消费者在512GB和1TB之间选择时，这意味着1TB版虽然容量翻倍，

对常规智能手机使用而言，苹果1TB和2TB版iPhone 18 Pro机型采用QLC NAND闪存，以50GB数据传输为例，在相同物理空间内能存储更多内容，相比TLC的3位方案，缓存耗尽后，数据先写入缓存再转移至QLC存储层。而256GB和512GB版本继续使用TLC NAND。有观点认为，尤其在持续高负载场景下表现受限。

对比之下，缓存容量降至约58GB。

不过QLC的写入速度较慢，

HOMOLAB测试显示，苹果在1TB机型中引入SLC缓存机制，持续写入速度平均为79.4MB/s，

QLC NAND每个存储单元可保存4位数据，

则耗时约12.6小时。

两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异，

苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的NAND类型，在存储使用率达60%时，数据直接写入QLC层，直接QLC写入平均速度降至约45MB/s，TLC版512GB机型性能比1TB版高出约38%。应用安装、

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