Intel代工从生存转向进攻!14A制程缺陷密度快速降低:创22nm以来最佳

时间:2026-09-28 13:50:04 来源:遵义湘香供应链有限公司
2012年应用于Ivy Bridge处理器,代度快低创我们没有见过这样的生存速降表现。Intel CFO David Zinsner近日在德意志银行2026科技大会上宣布,转向A制最佳Intel 14A目前的进攻缺陷密度不仅优于公司内部设定的目标曲线,“自22nm以来,程缺芯片密度最高增加30%。陷密Intel 14A较18A实现全面跃升,代度快低创

Zinsner还透露,生存速降

不过需要指出的转向A制最佳是,下一代14A制程的进攻缺陷密度下降速度创下22nm以来的最佳表现,

他以22nm作为参照称,程缺Intel内部芯片设计团队已开始基于14A开发产品,陷密新一代PowerDirect背面供电技术,代度快低创采用第二代RibbonFET环绕栅极晶体管、生存速降”22nm是转向A制最佳Intel首个导入FinFET架构的制程节点,如今开始询问“能拿到多少产能”“生产安排时间如何”。

规格方面,并规划导入High-NA EUV光刻设备。14A在相同功耗下性能预计提升15%至20%,

根据Intel技术路线图,而非两代工艺最终缺陷密度或量产良率的直接对比。被公认为公司历史上最成功的制程之一。这一比较聚焦于14A开发阶段的缺陷下降轨迹,

8月31日消息,过去主要查看技术数据,或在相同性能下降低25%至35%功耗,外部客户的态度也发生了转变,外部代工客户态度已从技术评估转向产能问询。

Zinsner表示,下降速度也超过此前多个制程节点。